簡(jiǎn)要描述:中圖儀器NS200國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀采用接觸式表面形貌測(cè)量,對(duì)測(cè)量表面反光特性、材料種類、材料硬度都沒(méi)有特別要求,樣品適應(yīng)面廣,數(shù)據(jù)復(fù)現(xiàn)性高、測(cè)量穩(wěn)定、便捷、高效,是微觀表面測(cè)量中使用廣泛的微納樣品測(cè)量手段。
詳細(xì)介紹
品牌 | CHOTEST/中圖儀器 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,汽車(chē),綜合 |
中圖儀器NS200國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀采用接觸式表面形貌測(cè)量,對(duì)測(cè)量表面反光特性、材料種類、材料硬度都沒(méi)有特別要求,樣品適應(yīng)面廣,數(shù)據(jù)復(fù)現(xiàn)性高、測(cè)量穩(wěn)定、便捷、高效,是微觀表面測(cè)量中使用廣泛的微納樣品測(cè)量手段。
在半導(dǎo)體、光伏、LED、MEMS器件、材料等領(lǐng)域,表面臺(tái)階高度、膜厚的準(zhǔn)確測(cè)量具有十分重要的價(jià)值,尤其是臺(tái)階高度是一個(gè)重要的參數(shù),對(duì)各種薄膜臺(tái)階參數(shù)的精確、快速測(cè)定和控制,是保證材料質(zhì)量、提高生產(chǎn)效率的重要手段。NS200國(guó)產(chǎn)臺(tái)階儀采用亞埃級(jí)分辨率的位移傳感器、超低噪聲信號(hào)采集、超精細(xì)的運(yùn)動(dòng)控制、標(biāo)定算法等核心技術(shù),具有優(yōu)良的使用性能。用于樣品表面從微米到納米尺度的輪廓測(cè)量,可以進(jìn)行臺(tái)階高度、膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測(cè)量。
1、臺(tái)階高度
能夠測(cè)量幾個(gè)納米到330μm的臺(tái)階高度。這使其可以準(zhǔn)確測(cè)量在蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料。
2、紋理:粗糙度和波紋度
測(cè)量2D紋理,量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件過(guò)濾功能將測(cè)量值分離為粗糙度和波紋度的部分,并計(jì)算諸如均方根(RMS)粗糙度等20余項(xiàng)粗糙度參數(shù)。
3、形狀:翹曲和形狀
可以測(cè)量表面的2D形狀或翹曲。這包括對(duì)晶圓翹曲的測(cè)量,例如在半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)過(guò)程中,多層沉積層結(jié)構(gòu)中層間不匹配是導(dǎo)致這類翹曲產(chǎn)生的原因。還可以量化包括透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。
4、應(yīng)力:薄膜應(yīng)力
能夠測(cè)量在生產(chǎn)中包含多個(gè)工藝層的半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件所產(chǎn)生的應(yīng)力。使用應(yīng)力卡盤(pán)樣品支撐在中性位置精確測(cè)量樣品翹曲。然后通過(guò)應(yīng)用Stoney方程,利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來(lái)計(jì)算應(yīng)力。
5、接觸缺陷復(fù)檢:缺陷表面形貌
技術(shù)測(cè)量:探針式表面輪廓測(cè)量技術(shù)
樣品觀測(cè):光學(xué)導(dǎo)航攝像頭:500萬(wàn)像素高分辨率 彩色攝像機(jī),F(xiàn)oV,1700*1400μm
平臺(tái)移動(dòng)范圍X/Y:電動(dòng)X/Y(100mm*100mm)(可手動(dòng)校平)
最大樣品厚度:50mm
載物臺(tái)最大晶圓尺寸:150mm(6吋),200mm(8吋)
臺(tái)階高度重復(fù)性:<1nm(測(cè)量1μm臺(tái)階高度,1δ)
垂直分辨力:分辨力<0.25 ?(量程為13um時(shí))
儀器尺寸: 640*626*534(mm)
儀器總重量:<50kg
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